atk:生成能
差别
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| 两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版 | ||
| atk:生成能 [2016/08/11 16:07] – [GaAs 中的 Ga 空位] dong.dong | atk:生成能 [2018/03/20 22:21] (当前版本) – liu.jun | ||
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| 行 6: | 行 6: | ||
| - MgO 表面的 O 空位 | - MgO 表面的 O 空位 | ||
| =====生成能（或者结合能）计算===== | =====生成能（或者结合能）计算===== | ||
| - | 在 VNL-ATK | + | 在 QuantumATK |
| - | (1) $E_{form}=E_{tot}–Σ_xE_{tot}(x)$ | + | (1) $E_\mathtt{form}=E_\mathtt{tot}–Σ_xE_\mathtt{tot}(x)$ |
| - | $E_{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候，尤其要注意：参考体系是气相还是块体材料。 | + | $E_\mathtt{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候，尤其要注意：参考体系是气相还是块体材料。 |
| <WRAP center important 100%> | <WRAP center important 100%> | ||
| 行 51: | 行 51: | ||
| * 选择不同基组和赝势，对生成能的计算非常关键，并且你的体系包括哪些元素，对结果的可靠性也有很大影响； | * 选择不同基组和赝势，对生成能的计算非常关键，并且你的体系包括哪些元素，对结果的可靠性也有很大影响； | ||
| * 本例中，Ga 元素以及它对应的组分晶体（Ga 晶体）对赝势和基组的设置更敏感； | * 本例中，Ga 元素以及它对应的组分晶体（Ga 晶体）对赝势和基组的设置更敏感； | ||
| - | * ATK 中还有 HGH 和 OMX 赝势； | + | * QuantumATK |
| * 使用 HGH 赝势（Tier 4 基组）计算 GaAs 生成能，得到 $E_\mathtt{form}^\mathtt{GaAs}=-0.76 eV$，和实验值符合的非常好。 | * 使用 HGH 赝势（Tier 4 基组）计算 GaAs 生成能，得到 $E_\mathtt{form}^\mathtt{GaAs}=-0.76 eV$，和实验值符合的非常好。 | ||
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atk/生成能.1470902867.txt.gz · 最后更改: 2016/08/11 16:07 由 dong.dong