atk:生成能

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--- atk:生成能 [2016/08/11 16:04] – [生成能（或者结合能）计算] dong.dong
+++ atk:生成能 [2018/03/20 22:21] (当前版本) – liu.jun
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   - MgO 表面的 O 空位
 =====生成能（或者结合能）计算=====
-在 VNL-ATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能（或结合能），具体的计算公式：
+在 QuantumATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能（或结合能），具体的计算公式：
-(1) $E_{form}=E_{tot}–Σ_xE_{tot}(x)$
+(1) $E_\mathtt{form}=E_\mathtt{tot}–Σ_xE_\mathtt{tot}(x)$
-$E_{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候，尤其要注意：参考体系是气相还是块体材料。
+$E_\mathtt{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候，尤其要注意：参考体系是气相还是块体材料。
 <WRAP center important 100%>
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   * 选择不同基组和赝势，对生成能的计算非常关键，并且你的体系包括哪些元素，对结果的可靠性也有很大影响；
   * 本例中，Ga 元素以及它对应的组分晶体（Ga 晶体）对赝势和基组的设置更敏感；
-  * ATK 中还有 HGH 和 OMX 赝势；
+  * QuantumATK 中还有 HGH 和 OMX 赝势；
   * 使用 HGH 赝势（Tier 4 基组）计算 GaAs 生成能，得到 $E_\mathtt{form}^\mathtt{GaAs}=-0.76 eV$，和实验值符合的非常好。
 </WRAP>
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 考虑 GaAs 晶体的一个 Ga 空位。缺陷的形成能可以通过下式得到：
-(2) $E_{form}=E_{tot}^{Ga_{1-x}As}–E_{tot}^{GaAs}+x⋅E_{tot}^{Ga}$
+(2) $E_\mathtt{form}=E_\mathtt{tot}^{\mathtt{Ga}_{1-x}\mathtt{As}}–E_\mathtt{tot}^\mathtt{GaAs}+x⋅E_\mathtt{tot}^\mathtt{Ga}$
-其中 $E_{tot}^{Ga_{1-x}As}$ 表示包含 x 个 Ga 空位的 GaAs 晶体的总能量，$E_{tot}^{GaAs}$ 表示完美 GaAs 晶体的总能量，$E_{tot}^{Ga}$ 表示 Ga 晶体的总能量。
+其中 $E_\mathtt{tot}^{\mathtt{Ga}_{1-x}\mathtt{As}}$ 表示包含 $x$ 个 Ga 空位的 GaAs 晶体的总能量，$E_\mathtt{tot}^\mathtt{GaAs}$ 表示完美 GaAs 晶体的总能量，$E_\mathtt{tot}^\mathtt{Ga}$ 表示 Ga 晶体的总能量。
+<WRAP center important 100%>
+**注意：**
-<WRAP center box 100%>
-注意：
 除了检查常规的参数以确保得到收敛的结果之外，还需要注意晶格的大小，这与缺陷浓度直接相关。
 </WRAP>
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 根据选用的基组的不同，如上所述可能需要考虑 BSSE：本例中，将空位 Ga 原子改为 ghost，而不真正删除 Ga 原子，如此得到晶体的总能量，作为方程（2）的第一项即可。也就是上表中的 ATK-PBE - ghost atom 栏。
+==== 参考与注释 ====

atk/生成能.1470902642.txt.gz · 最后更改: 2016/08/11 16:04 由 dong.dong

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