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atk:生成能

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  • 2018/03/20 22:21 生成能 – liu.jun +10 B (当前版本)
  • 2016/08/11 16:08 显示与当前版本的差别 生成能 – [生成能（或者结合能）计算] dong.dong +28 B
  • 2016/08/11 16:07 显示与当前版本的差别 生成能 – [GaAs 中的 Ga 空位] dong.dong +4 B
  • 2016/08/11 16:07 显示与当前版本的差别 生成能 – [GaAs 中的 Ga 空位] dong.dong +7 B
  • 2016/08/11 16:06 显示与当前版本的差别 生成能 – [MgO(100) 的表面 O 空位] dong.dong +28 B
  • 2016/08/11 16:06 显示与当前版本的差别 生成能 – [GaAs 中的 Ga 空位] dong.dong +115 B
  • 2016/08/11 16:04 显示与当前版本的差别 生成能 – [生成能（或者结合能）计算] dong.dong +6 B
  • 2016/08/11 16:03 显示与当前版本的差别 生成能 – [生成能（或者结合能）计算] dong.dong +6 B
  • 2016/08/11 16:03 显示与当前版本的差别 生成能 – [结果] dong.dong +60 B
  • 2016/08/11 16:00 显示与当前版本的差别 生成能 – [体相材料的结合能] dong.dong +1 B
  • 2016/08/11 16:00 显示与当前版本的差别 生成能 – [体相材料的结合能] dong.dong +85 B
  • 2016/08/11 15:57 显示与当前版本的差别 生成能 – [生成能] dong.dong +6 B
  • 2016/08/10 17:30 显示与当前版本的差别 生成能 – dong.dong +154 B
  • 2016/08/08 20:27 显示与当前版本的差别 生成能 – [MgO(100)的表面O空位] liu.jun +1.4 KB
  • 2016/08/08 20:13 显示与当前版本的差别 生成能 – [GaAs中的Ga空位] liu.jun +1 B
  • 2016/08/08 20:13 显示与当前版本的差别 生成能 – [结果] liu.jun ±0 B
  • 2016/08/08 20:13 显示与当前版本的差别 生成能 – [GaAs中的Ga空位] liu.jun +693 B
  • 2016/08/08 20:04 显示与当前版本的差别 生成能 – [缺陷生成能计算] liu.jun +63 B
  • 2016/08/08 20:01 显示与当前版本的差别 生成能 – [生成能（或者结合能）计算] liu.jun -12 B
  • 2016/08/08 20:01 显示与当前版本的差别 生成能 – [结果] liu.jun -24 B
atk/生成能.txt · 最后更改: 2018/03/20 22:21 由 liu.jun

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