atk:模拟离子轰击单层石墨烯
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模拟离子轰击单层石墨烯
单层石墨烯的性质可以通过引入缺陷来调控。获得可控缺陷的一个有效的方法是使用高能离子轰击单层石墨烯。分子动力学模拟可被用来阐明此过程中所涉及的机制,并增进我们对外部参数(比如引入离子的动能)如何影响缺陷形成的理解。在本实例中,借助文献[BS12]中的方案,你将模拟离子轰击石墨烯。
特别地,你将:
学习基于Virtual NanoLab (VNL)建立计算所需的基本步骤。
学习如何手动地在 VNL产生的Python脚本中引入修改。
使用Atomistix ToolKit(ATK)运行计算。
构造单层石墨烯
添加一个轰击原子
设置模拟
修改脚本
参考文献
atk/模拟离子轰击单层石墨烯.1474293252.txt.gz · 最后更改: 2016/09/19 21:54 由 nie.han