atk:模拟气相沉积薄膜生长过程
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| atk:模拟气相沉积薄膜生长过程 [2016/09/19 18:13] – [在脚本中实现沉积] nie.han | atk:模拟气相沉积薄膜生长过程 [2018/03/20 22:15] (当前版本) – liu.jun | ||
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| 在本实例中你将模拟在晶体碳化硅（SiC）基底上生长SiC，与文献[1]中的研究类似。你将使用半经验势，相比从头算方法（譬如DFT方法），它能进行更大系统和更大时间规模的模拟。本例中的模拟主要是物理气相沉积（PVD）方法。当然，如果包含了描述化学反应的合适的力场，或者有充足的计算资源来使用从头算方法，化学气相沉积（CVD）过程原则上也是可以进行模拟的。 | 在本实例中你将模拟在晶体碳化硅（SiC）基底上生长SiC，与文献[1]中的研究类似。你将使用半经验势，相比从头算方法（譬如DFT方法），它能进行更大系统和更大时间规模的模拟。本例中的模拟主要是物理气相沉积（PVD）方法。当然，如果包含了描述化学反应的合适的力场，或者有充足的计算资源来使用从头算方法，化学气相沉积（CVD）过程原则上也是可以进行模拟的。 | ||
| - | 对于本实例来说，你需要熟悉在[[atk: | + | 对于本实例来说，你需要熟悉在[[atk: |
| <WRAP center round info 100%> | <WRAP center round info 100%> | ||
| **小提示 ！** | **小提示 ！** | ||
| - | 在文献[1]中使用的修正嵌入原子模型（MEAM）目前在VNL-ATK中不可用。你将使用Tersoff势来代替，它并不会产生如参考文献中那样的层状晶体。模拟技术显然独立于势能的选取，因此对各种材料都适用。 | + | 在文献[1]中使用的修正嵌入原子模型（MEAM）目前在QuantumATK中不可用。你将使用Tersoff势来代替，它并不会产生如参考文献中那样的层状晶体。模拟技术显然独立于势能的选取，因此对各种材料都适用。 |
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| 行 21: | 行 21: | ||
| ===== 模拟策略 ===== | ===== 模拟策略 ===== | ||
| - | 运行一个沉积模拟需要一些不同的技术。与通常的平衡态分子动力学模拟最主要的不同是，随着蒸汽原子或分子的引入，整个系统的粒子数随之增加。在VNL-ATK中有两种策略来实现： | + | 运行一个沉积模拟需要一些不同的技术。与通常的平衡态分子动力学模拟最主要的不同是，随着蒸汽原子或分子的引入，整个系统的粒子数随之增加。在QuantumATK中有两种策略来实现： |
| 1.为每个新引进的原子或者分子运行一次新的模拟。通过在已沉积原子/ | 1.为每个新引进的原子或者分子运行一次新的模拟。通过在已沉积原子/ | ||
| 行 27: | 行 27: | ||
| 2.将所有需要沉积的原子或分子放在模拟晶胞的库（reservoir）中。对于每个新的沉积过程，从库中取出一个原子把它放在基底上方。 | 2.将所有需要沉积的原子或分子放在模拟晶胞的库（reservoir）中。对于每个新的沉积过程，从库中取出一个原子把它放在基底上方。 | ||
| - | 第一个方法的好处是只有真正需要的原子才出现在模拟晶胞中，这提高了模拟效率。然而，由于原子数在变化，在VNL-ATK中不可能将整个模拟保存在一个[[http:// | + | 第一个方法的好处是只有真正需要的原子才出现在模拟晶胞中，这提高了模拟效率。然而，由于原子数在变化，在QuantumATK中不可能将整个模拟保存在一个[[http:// |
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atk/模拟气相沉积薄膜生长过程.1474279993.txt.gz · 最后更改: 2016/09/19 18:13 由 nie.han