版本：2018

QuantumATK 为电子传输计算提供了一种市场领先且可实现高度优化非平衡格林函数（NEGF）的方法。即便如此，实现 NEGF 计算快速和可靠收敛从而获得电子基态有时也可能具有挑战性。因此，本指南为收敛性较差的 NEGF 计算进行故障排除提供了行动要点。

我的计算不收敛是什么意思?

就像周期性块体的标准计算一样，NEGF 器件计算采用自洽场（SCF）方法迭代搜索电子基态。在 SCF 循环的每一步都解决了电子结构问题，并计算了总能量。当 SCF 迭代之间的能量变化降到某个公差以下，也就是找到自洽电子密度时，该计算达到收敛。

如果计算不收敛，则意味着在允许的 SCF 迭代次数内未找到电子结构问题（基态）的自洽解。在进一步分析之前，您的任务是修改 NEGF 计算，使其收敛。

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# Warning: The calculation did not converge to the requested tolerance!        #
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如上所述，器件计算收敛到基态很重要。如果在零偏压计算中没有发生这种情况，则通常是由于器件构型设置不正确或 NEGF 器件计算器中的设置不够理想。有限偏压计算有时可能会带来其他的收敛性问题，这也是我们在此要解决的问题。

以下列表为零偏压和有限偏压计算提供了故障排除指南。

• 普通列表项目零偏压 NEGF 计算
  1. 增加器件中心区域的长度
  2. 增加电极的长度
  3. 检查边界条件的正确性
  4. 增加 k 点数量
  5. 对初始密度采用 EquivalentBulk 法
  6. 增大电子温度
  7. 提高围道积分的精度
  8. 尝试一个新的泊松求解器
  9. 增大网格密度截断能量

• 有限偏压 NEGF 计算
  1. 总是从收敛的计算重启

• SCF 迭代控制参数
  1. 最大步数
  2. Pulay 混合
  3. 公差

收敛困难的一个非常普遍原因是器件的中央区域太短。具体来说，中心区域对于在其中的载流子而言太短，以至于不能从界面作用中屏蔽电极。换句话说，NEGF 形式主义要求静电势达到平衡，且在到达电极之前变平。如果不能满足要求，NEGF 算法将无法将其与块状电极匹配。这种情况下补救方法很简单，即延长中心区域。

在下图中，我们显示了左侧含金属器件和右侧硅的 Hartree 电势差。垂直线表示两种材料之间的界面。

图190：沿着硅屏蔽区域长度的 Hartree 电势差图。请注意，80 Å 不足以使电势变平。

从上图我们可以看到，硅距离界面 80 Å 处电势并未变平坦，而是在 100 Å 处。金属那一侧，我们观察到仅在几埃内就足以屏蔽界面并按预期使电势变平坦。

通过增加掺杂或者如果已经掺杂的情况下通过增加掺杂水平，可以减小耗尽区的长度，即屏蔽发生处半导体的长度。在下图中，我们展示了硅耗尽长度与掺杂水平的关系。

图191：屏蔽（耗尽层）长度与掺杂浓度的关系图。例如，10¹⁹ cm^-3 的掺杂对应于约 100 Å 的耗尽层长度。

收敛问题的另一个常见原因是电极的尺寸。电极必须足够长才能确保第二近邻晶胞之间在传输方向上没有直接相互作用，这一点非常重要。换一种说法就是电极扩展和电极的第一周期图像之间必须没有相互作用。一个好的经验法则是，电极在传输方向上的长度应是基组中最长基函数的两倍以上。基函数的长度可以在 New Calculator 小部件中绘制函数图查看。

更彻底的测试是使用 NanoLab 中的 Electrode Validator 工具。使用它之前首先要对电极进行自洽计算，然后在 LabFloor 上选择结果生成的 BulkConfiguration，然后点击右侧插件栏中的 Electrode Validator 工具。然后，NanoLab 将通知您电极是否有效，即是否足够长以满足上述标准。