atk:分子器件模拟

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--- atk:分子器件模拟 [2017/03/05 19:00] – [k分辨透射和本征通道] dong.dong
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 本教程专门介绍分子器件的计算和分析，研究的经典器件由一个对苯二硫酚（DTB）与两个金电极表面构成，这个结构在很多文献里都有报道。
-本教程中的计算时间很长，作为入门的ATK量子输运计算教程，请参考：
+本教程中的计算时间很长，作为入门的QuantumATK量子输运计算教程，请参考：
   * [[atk:使用atk研究电子输运|]]
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   * [[atk:构建金-dtb-金分子结|]]
-本教程中使用的ATK-DFT方法参见ATK的使用手册。
+本教程中使用的ATK-DFT方法参见QuantumATK的使用手册。
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 <WRAP center info 100%>
-并行计算可以大幅度提升计算速度，要了解如何并行计算，请参考：[[atk:atk并行计算|]]。
+并行计算可以大幅度提升计算速度，要了解如何并行计算，请参考：[[atk:quantumatk并行计算]]。
 </WRAP>
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 <WRAP center box 100%>
-{{:atk:eigen13.png?200 |}}{{:atk:eigen14.png?200 |}}
+{{:atk:eigen13.png?400 |}}{{:atk:eigen14.png?400 |}}
-{{:atk:eigen15.png?200 |}}{{:atk:eigen16.png?200 |}}
+{{:atk:eigen15.png?400 |}}{{:atk:eigen16.png?400 |}}
 </WRAP>
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 为使用 1.6V 和 0V 的 ElectrostaticDifferencePotential 和 ElectronDifferenceDensity 结果计算电压降，我们使用右侧的GridOperations工具。
-  * 按住 ''ctrl'' 键同时选中 ''voltage_drop_16V'' 和 ''voltage_drop_0V'' 中的 $\detal V_E(\vec(r))$ 图标。
+  * 按住 ''ctrl'' 键同时选中 ''voltage_drop_16V'' 和 ''voltage_drop_0V'' 中的 $\delta V_E(\vec(r))$ 图标。
   * 点击打开 **GridOperations** 工具；
   * 设置函数为 A1 - B1；
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 重复上述步骤，计算电压诱导的电荷密度。
-{{:atk:edd.png?600 |}}
+{{ :atk:edd.png?600 |}}
 现在计算结果分别保存于 ''EDP.nc'' 和 ''EDD.nc''。要图示这两个结果：
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 在 Property 里详细调节图示的细节。
-{{:atk:edp1.png?600 |}}
+{{ :atk:edp1.png?600 |}}
-{{:atk:edd1.png?600 |}}
+{{ :atk:edd1.png?600 |}}
 如果设置如上图，则得到下面的图：
-{{:atk:voltage_drop.png?600 |}}
+{{ :atk:voltage_drop.png?600 |}}
 将电压降进行一维作图通常比较有用：选中 EDP 中的 $f(x)$ 图标，点击右侧的 **1D Projector** 工具。投影方法改为 //Average//，点击 //Add Line//。
-{{:atk:voltage_drop_1d.png?600 |}}
+{{ :atk:voltage_drop_1d.png?600 |}}
 此处的一维投影作图，C轴取值范围为 0 ~ 1，对应了真实的 z 方向长度。

atk/分子器件模拟.1488711632.txt.gz · 最后更改: 2017/03/05 19:00 由 dong.dong

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