atk:使用optimizedeviceconfiguration_study_object弛豫器件结构

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--- atk:使用optimizedeviceconfiguration_study_object弛豫器件结构 [2019/11/26 21:56] – [项目 0] xie.congwei
+++ atk:使用optimizedeviceconfiguration_study_object弛豫器件结构 [2019/11/26 22:01] (当前版本) – [参考] xie.congwei
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 ==== 项目 1 ====
+案例 B，我们观察到
+  - 优化区域的长度只有 6.83 Å，因为避免弛豫电极扩展已自动减小了该区域。
+  - 优化区域的右边缘在 15 Å，因此不会弛豫Ag | Au界面。
+  - 因此仅在包含像银块体的区域中进行全原子的弛豫，实际上很少发生弛豫。这也表明，在结构优化过程中，中心区域的长度完全没有变化。
 ==== 结论 ====
+使用 ''OptimizeDeviceConfiguration'' 研究模块时，可以通过手动设置区域的中心和宽度来完全控制全原子弛豫的区域。但是，仔细检查结果很重要。
+或者，您可以选择让弛豫区域在整个器件上延伸，或者只是坚持默认 10 Å 的宽度并自动检测区域中心。
+总之，''OptimizeDeviceConfiguration'' 研究模块有三种主要操作模式：
+  *  使用默认的优化区域设置（10 Å 的宽度和自动检测区域中心）。
+  *  手动指定优化区域中心和宽度。
+  *  通过增加优化区域的宽度使其超过中心区域的总长度来弛豫所有中心区域的原子（电极延伸部分除外）。
 ===== 附录 =====
-===== 参考 =====
+如上文所述，为避免应力或应变对电子性能的影响，器件通常应由弛豫的材料构建。如果在构造器件之前，不对初始材料进行弛豫，那么器件的结构优化将通过沿运输方向人为地拉紧器件的各个部分来弥补。
+我们在这里展示了一个应变对半导体电极电子结构影响的示例。下图显示了Si（100）电极的能带结构，其在与（100）结晶方向一致的 c 轴上有 ± 1% 的应变。通过仔细观察，可以看到导带和价带能发生了轻微的偏移。
+{{ :atk:strained_si100_bs-20191126.png?850 |}}
+下图显示了沿 C 轴（右图）方向上拉伸 Si（100） 电极时，DFT-PBE 价带最大值（VBM）和导带最小值（CBM）的变化，以及硅基带隙是如何因此变化（左图）的。
+{{ :atk:plot_strained_si100-20191126.png?600 |}}
+===== 参考 =====
+  * 英文原文：https://docs.quantumatk.com/tutorials/optimize_device_configuration/optimize_device_configuration.html

atk/使用optimizedeviceconfiguration_study_object弛豫器件结构.1574776577.txt.gz · 最后更改: 2019/11/26 21:56 由 xie.congwei

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