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atk:为什么器件电子输运方向上需要设置这么多k点 [2019/03/26 22:50] – 创建 xie.congwei | atk:为什么器件电子输运方向上需要设置这么多k点 [2019/03/26 22:56] (当前版本) – xie.congwei | ||
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传输方向始终为 C || Z,X/Y 平面由 A/B 晶格矢量跨越。因此, C 和 Z 可以互换使用以表示传输方向。 | 传输方向始终为 C || Z,X/Y 平面由 A/B 晶格矢量跨越。因此, C 和 Z 可以互换使用以表示传输方向。 | ||
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+ | **QuantumATK 器件边界条件和 k 点** | ||
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+ | QuantumATK** 中 NEGF 传输模型的关键点在于 C 方向上的边界条件不是周期性的。相反地,采用了开放性边界条件,以便在结构上施加电压,从而在有限偏压下计算电子电流。 | ||
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+ | 由于系统在 C 上没有周期性,因此在这个方向上也不需要多于一个的 k 点。事实确实如此——在器件计算中没有使用 k 点取样。这反映在适用于传输计算和其他传输分析量的 k 点采样规范中:布里渊区积分的选项是简单地 $(k_A , k_B)$。 | ||
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+ | 但是,我们的确需要在所有方向上对电极进行 k 点取样!仍然假定 C 向上有周期性,且在所有方向上具有 k 点的情况下,电极的电子态是从标准体积计算获得的。但这仍然没有完全解释器件计算所需的异常 k 点取样,因为对于所使用的典型电极尺寸,使用 5 或 12 $k_C$ 点似乎已足够,而不是 100。 | ||
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+ | 假设您有一个理想的系统,即电极与中心区域相同。使 $H_L$、$H_{CR}$ 和 $H_R$ 分别作为左电极、中心区域和右电极的哈密顿量。$H_L$ 和 $H_R$ 是在周期性边界条件下计算得到,而 $H_{CR}$ 是在开放性周期边界条件下利用自能从 $H_L$ 和 $H_R$ 获得。现在,如果 $H_{L}=H_{R}=H_{CR}$,显然你只能在这个系统中获得完美的传输。为实现此目的,应该在电极的 A 和 B 方向以及中心区域的开放性边界条件计算中采用相同的 k 点取样。这一点非常简单,必须在计算中贯彻始终。如任何其他计算一样,$k_A, | ||
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+ | 然而,在 C 方向上,自能计算实际上对应于 k 点的无限数量,并且在电极计算中您将需要大量的 $k_C$ 点与电极和中心区域的电子结构相匹配。需要紧密匹配的主要数量是费米能级。这里的差异将导致 SCF 收敛缓慢或不好,最坏情况下不准确的结果是由费米能级失配引入的人为散射导致的。这种散射实际上不能与复杂系统中的实际散射区分开来,但在完美的系统中它是显而易见的。ATK 默认的 $k_C$ 值 100 可能在安全方面差得相当远。但它相对耗费不多,因为这些 k 点仅用于电极的计算,这是整个计算中较小和较快的部分。 | ||
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+ | <WRAP center important 100%> | ||
+ | === 注意 === | ||
+ | 短讯:您在沿 C 方向上坚持选用 100 个 k点应该是安全的。 | ||
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+ | ===== 参考 ===== | ||
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+ | * 英文原文:[[https:// | ||
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