这是本文档旧的修订版!
本教程演示如何进行一个InAs的器件计算,建立氢钝化的InAs(100)方向结构并建立 p-i-n 结。
在VNL图形界面中打开 Builder,点击 Add
→From Database
,搜索 InAs。点击右下角“+”将结构添加到 Builder 的 Stash 中。
下一步是将晶格常数修改为实验中室温下的晶格常数,即 $a=6.0583 Å $
Bulk Tools
→Lattice Parameters…
;
接下来打开右侧工具栏 Builder
→Surface (Cleave)…
来沿着 (100) 方向切割晶体。
接下来打开 Bulk tools
→Repeat
,输入 A=12,B=1,C=1,点击 Apply。
用快捷键 Ctrl+R 重设视角。
此时,应计算一下晶胞的大小,因为接下来对 p-i-n 结构进行掺杂时需要计算掺杂浓度。打开Bulk Tools
→Lattice Parameters
,晶胞体积在 Lattice Parameters 窗口的底部给出:1334.15 Å3。
要完成设置:
Bulk tools
→Lattice Parameters
,选择保持 Cartesian,将 A 矢量长度设为 80 Å;Coordinate tools
→Center
,将结构置于所有三个方向的中心。Coordinate tools
→Custom Passivator
;选择 Hybridization 4(sp3),将结构钝化。此时,结构应如下图所示。
接下来,将结构发送到 Script Generator 中进行计算设置。
我们用自洽的Vogl模型计算此体系的DOS,为此我们需要使用自定义的参数设置,这是因为VNL默认数据中不包含InAs和H的数据。