这是本文档旧的修订版！
如何计算内层电子的激发
ADF可以指定被激发电子的范围，以及将电子激发到的空态的范围。本例以HI为例，首先单点计算看看内层电子的能量，以及轨道的编号（哪个不可约表示、第多少号轨道）。结构优化的步骤省略了，本例直接演示计算内层电子的激发。
基态计算
参数选择，参考：parameters
本例中因为关心内层电子，因此Frozen Core需要设置为none：
对I元素原子较多，因此需要用更大的基组，因此单独设置I的基组为QZ4P，其中AE表示All Electrons，表示全电子计算，不做冻芯近似：
保存任务并计算。
找到关心的内层电子的编号或范围
点击ADFinput的ADF LOGO > Level，查找关心的轨道，例如我们关心I的1S的激发：
ADF的level图，第二列为本计算的整个分子的电子轨道，其他列为片段（如果没有分片段，默认以每个原子为一个片段）的电子轨道。左边找到I原子的1S轨道，可以看到对应的是HI分子的1SIGMA轨道，当然鼠标放在1SIGMA上面的时候，也知道其能量，并且纵坐标也能看到内层轨道的大致范围。类似第可以看到12SIGMA是LUMO轨道，是H和I的第4个P轨道（也就是所谓的5P轨道）混合形成的。
设置内层电子的激发
在原先基态计算的基础上增加如下设置：
因为本例只关心自旋不翻转的情况，也就是单重态跃迁到单重态，因此选择SInglet only：
对激发进行详细设置，本例中设置只计算从1 Sgima（也就是I的1S轨道）的激发：
ADFinput > Details > Select Excitations > Selection method选择State Selective（本例中使用该方法），或者选择Modify Excitation（指定空占轨道能级差或者分别指定占据态、空态能量范围）
当然也可以设定占据态范围，如上图中第一个红色方框，输入具体的两个数值，那么将会计算这个能量范围之内的电子相关的激发态的激发能。