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adf:exactwayoftadf

基于Marcus-Levich-Jortner理论计算TADF逆向系间窜跃速率

涉及如下几点:

  1. S1-T1态之间的ΔEST
  2. S1-T1态之间的自旋轨道耦合
  3. S1-T1态之间的振动耦合
  4. 溶剂化效应

泛函的选择与优化至关重要

单重态三重态能量差ΔEST=ES1−ET1足够小,对RISC过程非常关键。实际上kRISC对ΔEST非常敏感,因此必须非常精确地计算该差值。对激发态电子结构的精确描述,及其微小的能量差,在实际的计算研究中具有很大的挑战性。

由于TADF染料分子通常由数百个原子组成,因此TDDFT往往是唯一可行且精度足够的方法。为了进行这样的计算,需要选择合适的交换相关泛函。基于标准DFT的TDDFT受到“自相互作用”问题的困扰,而通常在OLED发光分子中的激发,通常涉及“电荷转移”,这种情况下,自相互作用效应会在激发态的能量和电子结构中产生虚影,导致更严重的误差。杂化泛函改善了自相互作用误差,但激发能以及电子耦合参数对引入的精确交换的比例非常敏感。

在RSH泛函中,精确交换的“量”随着电子-电子距离的增加而增加,许多RSH泛函能够有效地恢复Khon-Sham有效势的正确的长程渐近行为,从而得到更精确的激发能。对TADF而言,比较成功的泛函包括:RSH(Range-Seperated Hybrid)泛函,如LCY-PBE、CAMY-B3LYP,或者色散修正杂化泛函PBE0-D3(BJ)。参考文献:

  • Gao, Su et al., Dyes and Pigmens 145, 277 (2017)
  • Samanta, Bredas et al., J. Am. Chem. Soc. 139, 4042 (2017)

RSH泛函可以通过对γ参数进行调制,例如令HOMO能量与第一电离能之间的差异最小化,以进一步改善该泛函。

得到最优γ值后,使用该γ值的RSH泛函进行后续的DFT计算。这里仅以4CzIPN为例演示计算过程(分子结构下载,请点击):

本文使用LCY-PBE泛函,其中4CzIPN最优化γ值为0.22,因此下面所有对4CzIPN的计算,都沿用该泛函与γ值。为了正确地模拟4CzIPN的TADF过程,需要对S0、S1和T1三个电子态的系统几何结构进行优化。

1 优化分子的S0态几何结构:

  • 打开AMSinput
  • File → Import Coordinates …选中TADF_4CzIPN_GS.xyz,导入AMSinput中
  • Task设置为 ‘Geometry Optimization’
  • Relativity设置为:Scalar
  • Basis set设置为:TZP
  • Frozen core设置为:None
  • XC Functional设置为:Range-separated → LCY-PBE
  • Details → XC Details → Gamma设为根据上面教程优化好的值:0.22
  • Model → Solvation设置溶剂化,solvation method选择COSMO,溶剂选择Toluene
  • 保存并运行任务

2 基于上面的分子结构,分别优化分子的S1态和T1态几何结构

  • Main面板参数设置与S0相同
  • 溶剂化设置与S0相同
  • Properties → Excitations (UV/Vis), CD
  • 如果优化S1态,Type of excitations选择SingletOnly(如果优化T1态,Type of excitations选择TripletOnly),并勾选TDA;Number of excitations:2;勾选NTOs、Charge transfer descriptors
  • Properties → Excited State Geometry → Excitation:1A;Spin type选择Singlet(如果优化T1态,此处选择Triplet)
  • Details → Symmetry → Symbol: NOSYM
  • 保存并运行任务
  • 类似分别优化两个分子的S1、T1态

分别得到优化后的S0、S1、T1几何结构(可以在SCM → Movie中看到结构的变化动画,播放到最后一帧,File → Save Geometry即可保存该分子结构为*.xyz文件)下载

  • TADF_4CzIPN_GS.xyz
  • TADF_4CzIPN_S1.xyz
  • TADF_4CzIPN_T1.xyz

优化结束后,logfile尾部可以看到对应的能量。其中基态优化的能量是该logfile中显示的Bond Energy。激发态优化的logfile结果中,可以看到对应的Bond energy(该分子结构对应的基态能量),以及对应的激发态的能量(基态能量+激发能=激发态的能量),例如:

可以得到:

  • ES1−ES0=2.55 eV
  • ET1−ES0=2.39 eV
  • ΔEST=ES1−ET1=0.16 eV

由于使用了不同的电子结构描述方式,原文献得到的ΔEST=0.01 eV。而实验值为0.1 eV。我们得到的计算结果与实验更接近,因此本文使用我们自己的定义方式。

激发态计算结果中,基于跃迁密度矩阵,通过Plasser and Lischka的定义,得到了电荷转移描述符:

上图中是T1态的结果,其中电荷转移特征为89.69%,电子-空穴平均距离为4.7 Å,而S1态增大为94%,激发电子与空穴平均距离为5 Å。注意,这种高电荷转移描述符、电子-空穴远距离,是典型OLED发光材料设计原则的直接结果,能够良好地分离的电子供体和受体基团。

实际上这样的激发态,交换相关能也较小,从而导致ΔEST也偏小。

3 垂直激发能

这里计算的是分子从S0态,吸收光子后,垂直跃迁到S1,所谓“垂直”是指分子的电子态虽然跃迁到S1了,但分子的结构还没有来得及调整到S1态的最优结构(也就是上面优化得到的S1的几何结构)。此时分子结构,跃迁前后,都是S0的最优结构。

打开ADF input,File → Import Coordinates…导入前面优化得到的S0的分子结构。

  • Task: → Single Point
  • XC-Functional → Range Separated → LCY PBE
  • 点击XC-Functional右侧的…按钮,Gamma栏输入0.22,回到Main窗口
  • Relativity → Scalar
  • Basis set → TZP
  • Frozen core → None
  • Numerical quality → Good
  • Model → Solvation → Solvation method: → COSMO;COSMO solvent → Toluene
  • Details → COSMO → 取消Include response in TDDFT,因为对垂直激发来说,溶剂分子来不及调整响应。
  • Properties → Excitations (UV/Vis), CD → Type of excitations: → Spin-Orbit (Perturbative);TDA: → Yes;Number of excitations: 5;Calculate: → NTOs;Calculate: → Charge transfer descriptors

保存并提交任务。计算结束后,SCM → Output → Response Properties → → All Spin-Orbit Coupling Excitation Energies:

其中:

  • 1、2、3对应的是S0→T1的三个分态,4、5、6对应的是S0→T2的三个分态,7对应的S0→S1态,也就是T1、T2能量比S1低。
  • S0→S1激发能为2.77 eV,实验值为2.85 eV

4 自旋轨道耦合与Frank-Condon权重态密度

如上所述,在非相对论性框架内,S态与T态之间的跃迁是严格禁阻的。仅当存在自旋轨道耦合(SOC)效应时,磷光或系间窜跃才有可能发生。与其他相互作用相比,自旋轨道耦合通常很小,因此可以看作是自旋轨道耦合算符\(\hat{H}_{\mathrm{SOC}}\)对的系统电子结构的微扰。

这里,我们使用通过费米黄金规则表述的逆向系间窜跃速率:

\[k_{\mathrm{RISC}} = \frac{2\pi}{\hbar}\left|V_{\mathrm{SOC}}\right|^{2}\times\rho_{\mathrm{FCWD}}\]

可以看到,其中\(k_{\mathrm{RISC}}\)正比于\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2}\)。这里我们需要计算T1跃迁到S1,其中T1有三个分态,因此\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2}\)是三个分态与S1的旋轨耦合矩阵元的均值:

\[\left|V_{\mathrm{SOC}}\right|^{2} = \frac{1}{3}\left|\left\langle S_{\mathrm{1}}\left|\hat{H}_{\mathrm{SOC}}\right|T_{\mathrm{1}}\right\rangle\right|^{2} = \frac{1}{3}\!\!\!\sum\limits_{\ J=-1,0,1}\!\!\!\left\langle S_{\mathrm{1}}\left|\hat{H}_{\mathrm{SOC}}\right|T_{\mathrm{1}}^{J}\right\rangle\left\langle S_{\mathrm{1}}\left|\hat{H}_{\mathrm{SOC}}\right|T_{\mathrm{1}}^{J}\right\rangle^{*}\]

\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2}\)对逆向系间窜跃速率影响很大,因此开发SOC更大的TADF新材料,是OLED研究非常重要的一个方面。

影响\(k_{\mathrm{RISC}}\)的另一个重要因素是 \(\rho_{\mathrm{FCWD}}\)即Frank-Condon权重态密度,具体计算参考下文。

4.1 自旋轨道耦合

由于T1→S1逆向系间窜跃发生的时间非常短,因此分子的结构实际上还来不及改变,在这个过程中,可以认为维持着T1的分子结构,因此\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2}\)的计算是基于前面优化T1态得到的分子构型。

参数设置如下:

  • ADF input → File → Import Coordinates,导入前面优化后得到的分子坐标(*.xyz文件)
  • Main → Task → Single Point;XC-Functional → Range Separated → LCY PBE,点击右侧…按钮,Gamma栏输入: 0.22
  • Main → Relativity → Scalar;Basis set → TZP;Frozen core → None;Numerical quality → Good
  • Model → Solvation → Solvation method: → COSMO;COSMO solvent → Toluene
  • Details → COSMO勾选Include response in TDDFT
  • Properties → Excitations (UV/Vis), CD → Type of excitations: → Spin-Orbit (Perturbative);TDA: → Yes;Number of excitations: 5;Calculate: → NTOs;Calculate: → Charge transfer descriptors

计算结束后,SCM → Output → Response Properties → Spin-orbit couplings:

可以看到\(|\langle S_{\mathrm{1}}|\hat{H}_{\mathrm{SOC}}|T_{\mathrm{1}}\rangle|\)= 0.4 cm-1,因此\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2} =\) 8.2\(\cdot\)10-10 eV2(单位换算参考:能量的单位)

4.2 计算振动谱用于Frank-Condon权重态密度

4.2.1 Franck-Condon原理与Marcus-Levich-Jortner理论

Franck-Condon原理然后指出,T1/S1跃迁需要两个电子状态的原子核的波函数之间的显著重叠:

作为半经典Marcus理论的扩展,Marcus-Levich-Jortner理论中:

\[\rho_{\mathrm{FCWD}}^{\mathrm{MLJT}} = \frac{1}{\sqrt{4 \pi \lambda_{\mathrm{M}} k_{\mathrm{B}} T}} \sum\limits_{n = 0}^{\infty}\exp\left(-S_{eff}\right)\frac{S_{eff}^{n}}{n!} \exp\!\left(\!-\frac{\left(\Delta E_{\mathrm{ST}} + n\hbar\omega_{eff} + \lambda_{\mathrm{M}}\right)^2}{4 \lambda_{\mathrm{M}} k_{\mathrm{B}} T} \right)\]

其中\(S_{eff}\)表示该有效模的Huang-Rhys因子,它是衡量电声耦合的强度的一个量,\(S_{eff}\)\(ω_{eff}\)通过每个高频简正模对应的Huang-Rhys因子与频率得到:

\[S_{eff} = \sum\limits_{i}S_{i} \qquad \omega_{eff} = \sum_{i}\frac{\omega_{i}S_{i}}{S_{eff}}\]

其中一般要求ωi > 1000 cm-1

4.2.2 通过DFTB与FCF计算有效模以及Huang-Rhys因子

实际上也可以用ADF模块也可以进行激发态频率、FCF的计算,从而得到Huang-Rhys因子。ADF模块进行激发态结构优化、频率计算的教程,参考:

在得到S$_1$和T$_1$的频率之后,FCF的计算,则与下文所示完全一样。只是对DFTB而言,FCF调用的是*.results/dftb.rkf文件,而ADF计算的情况,FCF应调用*.results/adf.rkf文件

这里为了快速计算,因此采用了计算量很小的DFTB模块。

4.2.2.1 S$_1$与T$_1$频率的计算

对于不含重金属的体系,AMS中的DFTB方法可以作为一个非常高效的近似方法,较为准确地球的简正振动模式(也就是计算红外振动谱),AMS中的FCF程序可以用来计算Si因子,从而得到Seff 以及 ωeff

注意使用DFTB程序计算激发态频率,注意要先行测试其可靠性,对不含金属有机分子一般而言,结果是比较可靠的。

DFTB计算S$_1$态的频率:

AMSinput切换到DFTB模块,并导入优化S1态得到的分子结构

  • Task: → Geometry Optimization
  • Followed by: → Frequencies
  • Model: → DFTB
  • Dispersion: → D3-BJ
  • Parameter directory: → DFTB.org/mio-1-1(或QUASINANO2015,不同方法对结果影响非常大,实际上这里只是用DFTB进行流程的演示,方便大家理解计算过程,真正精确的激发态频率计算,请使用ADF完成,具体可以参考ADF教程
  • Properties → Excitations (UV/Vis)
  • Type of excitations: → Singlet
  • Method: → Davidson
  • Number of excitations: → 2

类似地计算T1态的频率:

导入优化T1态得到的分子结构

  • ……同上
  • Properties → Excitations (UV/Vis)
  • Type of excitations: → Triplet
  • Method: → Davidson
  • Number of excitations: → 2

计算结束后,在各自任务文件夹下,有一个*.results文件夹,其中有一个文件dftb.rkf,激发态振动谱信息包含在内。

4.2.2.2 FCF计算得到Huang-Rhys因子

创建一个新的文件夹(路径中注意同样不要包含中文、空格),将这两个dftb.rkf文件分别拷贝到该文件夹中,并改名为S1_optFreqDFTB.rkf、T1_optFreqDFTB.rkf,然后创建文本文件,内容如下:

$AMSBIN/fcf << eor
STATES T1_optFreqDFTB.rkf S1_optFreqDFTB.rkf
QUANTA 0 0
TRANSLATE
ROTATE
eor

创建后,保存,并将*.txt后缀更改为*.run。然后在ADFjobs窗口,运行该任务。输出内容中将包含两个态的频率与电声耦合信息,因为我们关心T1→S1跃迁,因此使用第一个态的结果:

=====================
F I R S T   S T A T E
=====================
 
  Frequency         Displacement  Electron-Phonon coupling
    cm^-1            a0 amu^1/2        (dimensionless)
 ----------          ----------          ----------
  12.070318          -11.804599            2.642917
  13.872303            3.368437            0.808492
  19.113716           -2.303894            0.649094
  ...
 976.643338           -0.001580            0.003183
 986.370540           -0.000023            0.000046
1041.616941           -0.001475            0.003069
1075.333767           -0.019010            0.040172
1078.281693           -0.017297            0.036603
  ...
3075.114508            0.033650            0.120250
3086.236558            0.013900            0.049764
3087.310659            0.005134            0.018383
 
  ...

Huang-Rhys因子Si即上述输出的Electron-Phonon coupling的平方,因此对ωi > 1000 cm -1的频率的电声耦合的平方求和,得到Seff= 0.837,进一步得到 ωeff = 1498 cm -1

代入\(\rho_{\mathrm{FCWD}}^{\mathrm{SCMT}}\)的表达式中。另外,

最终得到kRISC = 2.3⋅105 / s,与Samanta等人的发现一致:量子隧穿效应可忽略不计,经典方法足以处理。

关于FCF计算输出文件的解析:

以上述输出内容为例:

  1. F I R S T S T A T E是指第一个电子态(例如计算FCF时,State项指定第一个态S0的rkf文件,第二个态T1的rkf文件)的振动相关数据。
  2. Frequency这一列是该电子态的振动模式的波数。在FCF计算前,我们就已经算过两个态的振动谱了,大家可以对照以下这一列数据和第一个电子态的振动谱(SCM - Spectra可以看到)的横坐标,实际上是一一对应的,只是后者如果单位是cm -1,则小数点后面四舍五入省略。
  3. 类似有S E C O N D S T A T E的数据。
  4. Electron-Phonon coupling的平方是Huang-Rhys因子,可以清楚地看到哪个振动模式对Huang-Rhys因子的贡献更大,进而对\(\rho_{\mathrm{FCWD}}^{\mathrm{SCMT}}\)的贡献更大,因此可以衡量哪个振动模式对发光的影响更大,而该振动模式的振动动画,在前面的频率计算结果中可以通过SCM - Spectra可以看到,有助于研究者直观地实现通过修改基团,达到影响系间窜跃的目的。
  5. Huang-Rhys因子S$_k$=ω$_k$ * (Displacement)$^2$/2h,其中ω$_k$即Frequency,h为普朗克常数,S$_k$无量纲。
  6. SCM - Kf browser - Fcf - fcf即Franck-Condon因子的一个矩阵:

该数据的详细解释,参考:https://www.scm.com/doc/AMS/Utilities/FCF_module.html

adf/exactwayoftadf.txt · 最后更改: 2021/03/24 11:45 由 liu.jun

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