对于周期性体系的激发，常见的有如下几种处理方式，各有优缺点：

1）固体材料的紫外-可见光吸收，对应着电子的激发，周期性体系的密度泛函理论中，最流行的方法，是通过TDDFT计算得到该体系的介电函数（对不同频率的光照的介电常数）。之后由介电常数得到光吸收强度：

吸收强度=2*该频率的光子能量/ћ/光速*(0.5*( (d_r²+d_i²)-d_r)^1/2 )^1/2，单位为nm^-1。

其中d_r为介电函数的实部，d_i为介电函数的虚部。

可以使用BAND模块可以计算介电常数。

优点：使用TDDFT理论，对电子激发的处理较为合理；

缺点：不容易分析激发态的构造，也很难指定将电子从某个占据轨道激发到另一个空轨道；事实上不适用于由浓度很低的杂质引起的光吸收（使用这种方法计算浓度很低的杂质光吸收，杂质的吸收峰会被淹没在基底材料的吸收峰里面，几乎无法分辨出来，因为强度与浓度成正比，浓度趋近于0，则对吸收峰的贡献也会趋近于0）。因此适用于一般材料的光吸收，不适合杂质引起的光吸收。不过也许将掺杂后总的吸收强度与掺杂前的吸收强度相减之后，得到杂质对吸收的贡献，之后将其放大一定倍数。这样的杂质吸收峰，也许可以与实验测量的杂质吸收峰（将掺杂后总的吸收强度与掺杂前的吸收强度相减）相比拟。但目前这样做的人并不多。

2）如果关心固体材料的非常局域的基团的光吸收，一种常见的做法，是采用团簇近似，也就是切取一个足够大的片段，去掉周期性边界条件。以非周期的密度泛函方法来处理，也就是常见的DFT计算吸收光谱的方法。可以使用ADF模块来进行计算，这也是ADF非常擅长的一个功能。ADF目前能够处理的团簇体系，可以非常大。

3）某些体系，我们只关心浓度很低的杂质基团，而又很难在几乎不破坏发光基团的性质的情况下，处理好团簇的边界。这样的情况就几乎很难使用团簇模型。例如ZnS晶体中掺杂Cr²⁺元素，边界原子无论是S还是Zn，悬挂键均不易饱和，同时不破坏Cr²⁺这个发光基团的光学性质。此时，另一种处理方式是可以考虑的，也就是指定电子占据。

K空间布点设置为1*1*1，也即只计算Gamma点。然后分别计算基态（电子填充在能量最低的Bloch态）和激发态（将某个基态的需要被激发的那个占据的Bloch态设置为空态，同时将激发后电子占据的Bloch态设置为占据态）。

这种方法的优点是：很明确地知道电子从哪个Bloch态激发到哪个Bloch态上。缺点：无法得到吸收强度数据，并且需要通过另外的方法判断该激发是否为禁阻跃迁（可以参考费米科技WIKI：如何通过分子的对称性判断跃迁是否禁阻跃迁）。如果关心“指定激发”的能量，可以参考这种方法。

以下为第三种方法的教程。