本教程演示如何进行一个InAs的器件计算，建立氢钝化的InAs(100)方向结构并建立 p-i-n 结。

在VNL图形界面中打开 Builder，点击 Add→From Database，搜索 InAs。点击右下角“+”将结构添加到 Builder 的 Stash 中。

下一步是将晶格常数修改为实验中室温下的晶格常数，即 $a=6.0583 Å $

• 展开右侧工具栏中的Bulk Tools→Lattice Parameters…；
• 选择保持分数坐标不动 fractional；
• 将 $a$ 设置为6.0583 Å

接下来打开右侧工具栏 Builder→Surface (Cleave)… 来沿着 (100) 方向切割晶体。

• 保持默认 (100) 方向不动，点击 “Next>”；
• 保持默认晶格不动，点击“Next>”；
• 保持默认超胞不动（此时方向确保为垂直表面方向）；
• 点击“Finish”。

接下来打开 Bulk tools→Repeat，输入 A=12，B=1，C=1，点击 Apply。

用快捷键 Ctrl+R 重设视角。

此时，应计算一下晶胞的大小，因为接下来对 p-i-n 结构进行掺杂时需要计算掺杂浓度。打开Bulk Tools→Lattice Parameters，晶胞体积在 Lattice Parameters 窗口的底部给出：1334.15 ų。

要完成设置：

• 打开Bulk tools→Lattice Parameters，选择保持 Cartesian，将 A 矢量长度设为 80 Å；
• 打开 Coordinate tools→Center，将结构置于所有三个方向的中心。
• 打开 Coordinate tools→Custom Passivator；选择 Hybridization 4（sp3），将结构钝化。

此时，结构应如下图所示。

接下来，将结构发送到 Script Generator 中进行计算设置。