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atk:inas_p-i-n_结

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InAs p-i-n 结

概述

本教程演示如何进行一个InAs的器件计算,建立氢钝化的InAs(100)方向结构并建立 p-i-n 结。

InAs 二维体系的带隙

建立 InAs 二维体系的几何结构

设置并运行计算

分析结果

电子亲和性

模拟 InAs(100) 二维 p-i-n 结

建立FET器件结构模型

零栅压计算

栅极功函数

定义金属栅极功函数

调控金属栅极功函数

p-i-n 器件的晶体管特性

设置并运行栅压扫描

模拟漏极区部分覆盖

分析结果

参考文献

atk/inas_p-i-n_结.1489992139.txt.gz · 最后更改: 2017/03/20 14:42 由 dong.dong

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