在本教程，您将学习如何利用扩展的Hückel方法计算硅的能带结构。

启动VNL，通过点击Create New新建一个项目。给项目命名（在本例中：“Silicon_band_structure”），并选择一个文件夹用于存放数据，然后点击OK和Open开启项目。

1. 在VNL的主窗口中，点击图标打开Builder。

2. 找到Stash所在区域，点击Add ‣ Friom Database，选择Database ‣ Crystals from the menu。在上方筛选栏输入“Silicon”，并从结果列表中选择“Silicon (alpha)”。点击图标或者双击列表中该结构所在行，把结构传送到Stash中。

3. 传递体结构到Scripter。为了完成这一步操作，您需要点击按钮，然后在显示的菜单中选择Script Generator。

1. 在Script Generator中，双击 New Calculator 添加一个新的计算模块。

2. 再添加一个能带分析模块 ‣ Bandstructure。

3. 将Global IO选项中NetCDF文件的默认名字修改Si_band_structure.nc。

4. 双击 New Calculator模块并设置利用量子化学方法进行计算的参数：

（1）设置计算方法为“Extended Hückel”（或者您也可根据个人意愿选择DFT方法），设置k点取样：nA = nB = nC = 13。

（2）如果您选择Extended Hückel方法进行计算，为了得到比较准确的带隙结构，您必须Cerda.Silicon基组。

（3）点击OK，保存设置。

5. 现在打开Bandstructure模块。请注意，此时您并不需要做任何修改，您可以看到面心立方硅结构的布里渊区高对称性点G, X, W, L, G, X, U, W, K, L已经被设置好。点击OK。

6. 如果您有兴趣查看实际计算执行的Python脚本，您可以发送该脚本到Editor：点击按钮或者直接将脚本拖拽到上。注意这样操作会使Script Generator窗口最小化。

7. 为了执行脚本，您可以将脚本传送到。再一次，您需要点击按钮。

8. 在弹出的窗口中，点击Save按钮，保存脚本。

9. 在Job Manager中，点击按钮运行脚本。

10. 当脚本运行结束后（应该只需要消耗数秒时间），返回VNL窗口，点击NetCDF文件Si_band_sructure.nc旁边的（），查看该文件所包含的内容。

11. 选择能带结构数据，使用右手边插件面板上的Bandstructure Analyzer画图。

12. 在打开的能带结构图中，可以利用 Zoom to rectangle工具对图进行放大。您还可以点击按钮保存图片。

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