atk:使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性

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--- atk:使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性 [2018/08/24 07:49] – [计算漏极诱导势垒降低（DIBL）] fermi
+++ atk:使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性 [2018/08/24 08:01] (当前版本) – [概述] fermi
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   * 在计算正常结束后，补算新的电压点，而不需重复已经完成的计算；
   * 分析开关比（$\mathrm{I_{on}/I_{off}}$），亚阈值斜率（$\mathrm{SS}$），转移电导（transconductance，$\mathrm{g_{m}}$）和漏极诱导势垒降低（drain-induced barrier lowering, $\mathrm{DIBL}$）((S. M. Sze and K. N. Kwok. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 3rd edition, 2006))；
-  * 还支持在扫描偏压的同时，计算PLDOS、电子密度、各种电势、电荷布居、能量、电子密度、能量等；
+  * 还支持在扫描偏压的同时，计算PLDOS、电子密度、各种电势、电荷布居、电子密度、能量等；
-  * 也可以在计算完成后，补算任意偏压、栅压点的PLDOS、电子密度、各种电势、电荷布居、能量、电子密度、能量等。
+  * 也可以在计算完成后，补算任意偏压、栅压点的PLDOS、电子密度、各种电势、电荷布居、电子密度、能量等。
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 ===== IV计算结束后补算其他性质 =====
-在IVCharacteristics计算结束后，可以补充其他性质的计算，这是只要在脚本中读入IVCharacteristics，在后面补充类似：
+在IVCharacteristics计算结束后，可以补充其他性质的计算，这时只要在脚本中读入IVCharacteristics，在后面补充类似：
-<code>
+<code python>
 iv_characteristics.addProjectedLocalDensityOfStates(
     gate_source_voltages, drain_source_voltages)
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 ===== 参考 =====
+  * [[https://docs.quantumwise.com/manual/includes/Study.html|什么是Study Object？]]
+  * 英文教程：[[https://docs.quantumwise.com/tutorials/ivcharacteristics/ivcharacteristics.html]]
+  * 手册说明：[[https://docs.quantumwise.com/manual/Types/IVCharacteristics/IVCharacteristics.html#NL.Study.IVCharacteristics.IVCharacteristics]]

atk/使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性.1535068170.txt.gz · 最后更改: 2018/08/24 07:49 由 fermi

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