atk:使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性

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--- atk:使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性 [2018/08/23 10:22] – fermi
+++ atk:使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性 [2018/08/24 08:01] (当前版本) – [概述] fermi
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   * 在计算中断时续算未完成的电压点，而不需重复已经完成的计算；
   * 在计算正常结束后，补算新的电压点，而不需重复已经完成的计算；
-  * 分析开关比（$\mathrm{I_{on}/I_{off}}$），亚阈值斜率（$\mathrm{SS}$），转移电导（transconductance，$\mathrm{g_{m}}$）和漏极诱导势垒降低（drain-induced barrier lowering, $\mathrm{DIBL}$）((S. M. Sze and K. N. Kwok. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 3rd edition, 2006))。
+  * 分析开关比（$\mathrm{I_{on}/I_{off}}$），亚阈值斜率（$\mathrm{SS}$），转移电导（transconductance，$\mathrm{g_{m}}$）和漏极诱导势垒降低（drain-induced barrier lowering, $\mathrm{DIBL}$）((S. M. Sze and K. N. Kwok. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 3rd edition, 2006))；
+  * 还支持在扫描偏压的同时，计算PLDOS、电子密度、各种电势、电荷布居、电子密度、能量等；
+  * 也可以在计算完成后，补算任意偏压、栅压点的PLDOS、电子密度、各种电势、电荷布居、电子密度、能量等。
 本教程介绍如何使用''IVCharacteristics''计算并分析silicon-on-insulator（SOI）器件的电子性质，这些性质都有实验结果供参照。教程中使用SOI器件的结构是预先构建好的，用来计算$\mathrm{SS}$和$\mathrm{DIBL}$。
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 </WRAP>
+===== 计算IV的同时计算分析其他性质 =====
-===== 参考 =====
+在设置IVCharacteristics的同时还可以设置其他性质的计算：
+{{ :atk:2018-08-24.png?direct&600 |}}
+===== IV计算结束后补算其他性质 =====
+在IVCharacteristics计算结束后，可以补充其他性质的计算，这时只要在脚本中读入IVCharacteristics，在后面补充类似：
+<code python>
+iv_characteristics.addProjectedLocalDensityOfStates(
+    gate_source_voltages, drain_source_voltages)
+iv_characteristics.addAnalysis(
+    gate_source_voltages, drain_source_voltages, HartreeDifferencePotential)
+iv_characteristics.update()
+</code>
+其中的''gate_source_voltages''和''drain_source_voltages''可以用Python list格式指定，不需要计算全部的电压点的性质。
+===== 参考 =====
+  * [[https://docs.quantumwise.com/manual/includes/Study.html|什么是Study Object？]]
+  * 英文教程：[[https://docs.quantumwise.com/tutorials/ivcharacteristics/ivcharacteristics.html]]
+  * 手册说明：[[https://docs.quantumwise.com/manual/Types/IVCharacteristics/IVCharacteristics.html#NL.Study.IVCharacteristics.IVCharacteristics]]

atk/使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性.1534990962.txt.gz · 最后更改: 2018/08/23 10:22 由 fermi

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