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atk:使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性

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使用IVCharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性

软件版本:O-2018.06

本教程介绍如何使用IVCharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性。这是QuantumATK开发的一类新的Study对象,专门用于多步骤的复杂计算流程的设置、分析。

概述

IVCharacteristics是一个Study Object(什么是Study Ojbect),用来计算和分析场效应管(FET)器件模型的常见电子性质,例如开关比($\mathrm{I_{on}/I_{off}}$),亚阈值斜率($\mathrm{SS}$),转移电导(transconductance,$\mathrm{g_{m}}$)和漏极诱导势垒降低(drain-induced barrier lowering, $\mathrm{DIBL}$)1)

本教程介绍如何使用IVCharacteristics计算并分析silicon-on-insulator(SOI)器件的电子性质,这些性质都有实验结果供参照。教程中使用SOI器件的结构是预先构建好的,用来计算$\mathrm{SS}$和$\mathrm{DIBL}$。

$V_{DG}$ 曲线的计算和基本分析

扩展 $V_{DG}$ 曲线的电压范围

方法一:在Study object中扩展栅压范围

方法二:使用脚本添加其他栅压点

在亚阈值区间分析 $V_{DG}$ 曲线

计算漏极感应势垒降低(DIBL)

参考

1)
T. B. Boykin, M. Luisier, M. Salmani-Jelodar, and G. Klimeck. Strain-induced, off-diagonal, same-atom parameters in empirical tight-binding theory suitable for [110] uniaxial strain applied to a silicon parametrization. Phys. Rev. B, 81:125202, 2010. doi:10.1103/PhysRevB.81.125202.
atk/使用ivcharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性.1534945862.txt.gz · 最后更改: 2018/08/22 21:51 由 fermi

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