adf:tadf_oled
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| adf:tadf_oled [2019/09/05 09:24] – [第一代OLED] nie.han | adf:tadf_oled [2020/06/23 20:39] (当前版本) – [第三代OLED材料性能的第一性原理计算：通过DFT预测TADF逆向系间窜跃速率 (JACS, 2017)] liu.jun | ||
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| - | ======第三代OLED材料性能的第一性原理计算：通过DFT预测TADF逆向系间窜跃速率====== | + | ======文献重现：通过DFT预测第三代OLED材料TADF逆向系间窜跃速率 |
| =====前言===== | =====前言===== | ||
| 由于智能手机电子屏等巨大市场规模，OLED材料和有机电子学是一个非常活跃的研究和工业发展领域。本教程旨在说明如何模拟和研究OLED材料的高级电致发光现象，包括对该专题进行了一般性介绍，以及具体的研究方法。相关的研究方法主要基于下列文献： | 由于智能手机电子屏等巨大市场规模，OLED材料和有机电子学是一个非常活跃的研究和工业发展领域。本教程旨在说明如何模拟和研究OLED材料的高级电致发光现象，包括对该专题进行了一般性介绍，以及具体的研究方法。相关的研究方法主要基于下列文献： | ||
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| - | 虽然这种发光机制，理论上可以达到接近100%的量子效率，但三重态寿命过长会导致化学降解，而且三重态能量与基态差越大(也即发射光的频率越高)，分子越不稳定。因此，到目前为止还没有找到稳定、长寿命的深蓝光OLED材料。除此之外，这类OLED材料需要相对稀有、昂贵的重元素，大大增加了成本。 | + | 虽然这种发光机制，理论上可以达到接近100%的量子效率，但三重态寿命过长会导致化学降解，而且三重态能量与基态差越大(也即发射光的频率越高)，分子越不稳定。因此到目前为止还没有找到稳定、长寿命的深蓝光OLED材料。除此之外，这类OLED材料需要相对稀有、昂贵的重元素，大大增加了成本。 |
| ====第三代OLED==== | ====第三代OLED==== | ||
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| \[k_{RISC} = \frac{2 \pi}{\hbar} V_{SOC}^2 \frac{1}{\sqrt{4 \pi \lambda k_B T}} {\rm exp} \left[ - \frac{(\Delta E_{ST} + \lambda)^2}{4 \lambda k_B T} \right]\] | \[k_{RISC} = \frac{2 \pi}{\hbar} V_{SOC}^2 \frac{1}{\sqrt{4 \pi \lambda k_B T}} {\rm exp} \left[ - \frac{(\Delta E_{ST} + \lambda)^2}{4 \lambda k_B T} \right]\] | ||
| - | ===公式2：基于基于Marcus-Levich-Jortner理论=== | + | ===公式2：基于Marcus-Levich-Jortner理论=== |
| \[k_{RISC} = \frac{2 \pi}{\hbar} V_{SOC}^2 \frac{1}{\sqrt{4 \pi \lambda_M k_B T}} \sum_{n=0}^{\infty} {\rm exp}(-S) \frac {S^n}{n!} {\rm exp} \left[ - \frac{(\Delta E_{ST} + n \hbar \omega_{eff} + \lambda_M)^2}{4 \lambda k_B T} \right]\] | \[k_{RISC} = \frac{2 \pi}{\hbar} V_{SOC}^2 \frac{1}{\sqrt{4 \pi \lambda_M k_B T}} \sum_{n=0}^{\infty} {\rm exp}(-S) \frac {S^n}{n!} {\rm exp} \left[ - \frac{(\Delta E_{ST} + n \hbar \omega_{eff} + \lambda_M)^2}{4 \lambda k_B T} \right]\] | ||
adf/tadf_oled.1567646685.txt.gz · 最后更改: 2019/09/05 09:24 由 nie.han