adf:vertualcrystal
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| adf:vertualcrystal [2023/07/23 18:07] – liu.jun | adf:vertualcrystal [2023/07/23 18:08] (当前版本) – [DFT计算的特定原子位掺杂：虚晶近似] liu.jun | ||
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| 目前用的比较多的掺杂方式有两种计算模型： | 目前用的比较多的掺杂方式有两种计算模型： | ||
| * 使用足够大的超胞，将超胞中某个原子替换为掺杂元素。这种掺杂没有随机性，是人为指定某个原子被替换，缺点是要求用户清楚在哪个位点替换元素，以及浓度一般不能做到太低，因为掺杂浓度越低，超胞就需要做的越大，计算量也越大。优点是没有理论上的缺陷。 | * 使用足够大的超胞，将超胞中某个原子替换为掺杂元素。这种掺杂没有随机性，是人为指定某个原子被替换，缺点是要求用户清楚在哪个位点替换元素，以及浓度一般不能做到太低，因为掺杂浓度越低，超胞就需要做的越大，计算量也越大。优点是没有理论上的缺陷。 | ||
| - | * 使用虚晶近似，根据某个位点 A、B 元素的权重，算出平均核电荷，例如 C、B 各 50%，则核电荷为 6*50% + 5*50% = 5.5 | + | * 使用虚晶近似，根据某个位点 A、B 元素的权重，算出平均核电荷，例如 C、B 各 50%，则核电荷为 6*50% + 5*50% = 5.5。该方法实际上存在理论上的缺陷。因此使用该近似，仅能用于少数性质方面的预测。 |
| 例如在半导体中，掺杂浓度可能十万分之一，用超胞的方式，就几乎不太可能。过大的超胞，能带特征已经完全消失了，间接带隙也可能变成直接带隙了。 | 例如在半导体中，掺杂浓度可能十万分之一，用超胞的方式，就几乎不太可能。过大的超胞，能带特征已经完全消失了，间接带隙也可能变成直接带隙了。 | ||
adf/vertualcrystal.1690106843.txt.gz · 最后更改: 2023/07/23 18:07 由 liu.jun