QuantumATK亮点文章:非对称的金属-半导体-金属MoS2异相结

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科学家使用QuantumATK研究了非对称的金属-半导体-金属MoS2异相结。对不同掺杂浓度的透射和β-和β*-界面处的能垒研究表明,异相结的非对称能垒高度与掺杂浓度无关。这些结果显示了MoS2这个热门材料在电路元件设计中的一些有趣的性质。

使用QuantumATK对金属-半导体、半导体金属界面的结构进行优化得到的结果与实验一致。密度泛函理论和非平衡态格林函数方法则用来研究电子态和电子输运性质。

VNL中提供了非常方便的界面建模工具,用来构造并优化了金属-半导体、半导体-金属界面器件。两个界面的有效电子能垒有0.2V的差别,与掺杂浓度无关。

VNL中集成的Projected Local Density of States工具可以方便快捷的研究器件的输运性质和能带对齐,并直接作图,免去研究者编程和数据处理的痛苦。相关的教程参见:这里

参考文献

[1] D. Saha, S. Mahapatra, “Asymmetric Junctions in Metallic-Semiconducting-Metallic Heterophase MoS₂”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.PP, no.99, pp.1 (2017)